Silicon carbide ceramics habent caliditas vires, caliditas oxidationis resistentia, bonum lapsum resistentia, bonum scelerisque stabilitatis, parva coefficiens dilatatio scelerisque, princeps scelerisque conductivity, princeps duritia, calor concussa resistentia, chemicae corrosio resistentia et aliae proprietates optimae.In autocineto, mechanizatione, tutela environmental, technologia aerospace, informatione electronica, industria et aliis agris late adhibita est, et in multis campis industrialibus operando, in multis campis industrialibus structuris ceramicum irreparabile factum est.Ostendam tibi nunc!
Pressura adspars
Sintering pressa consideratur ut methodus florentissima pro SiC sintering.Secundum varias mechanismos sintering, pressa sintering in solidum-phasma sintering et liquido-sinteringi dividi possunt.Per ultra-by- subtilis quantitas propria B et C (contenti oxygenii minus quam 2%) additi sunt pulveris SiC simul, et s.proehazka ad SiC sintered corpus densitate altiore quam 98% ad 2020 .A. Mulla et al.Al2O3 et Y2O3 adhibita sunt ut additamenta et sinterae 1850-1950 ℃ pro 0.5 μ m aba SiC (particula superficies parvam quantitatem SiO2 continet).Densitas relativa ceramicorum SiC consecuti maior est quam 95% densitatis theoreticae, et magnitudo grani parva est et magnitudo mediocris.1.5 microns est.
Aestus torcular sintering
Purus SIC non nisi arcte in calidissima caliditate sine ulla additiva sinteringe sinterari potest, ergo multi processus impressio sinteringi processus calidi ad efficiendum pro SiC.Fuerunt multae relationes de impressio calidae SIC addendo subsidia sinterantia.Alliegro et al.Effectum boron, aluminii, nickel, ferrum, chromium et alia additiva metallorum in densificatione SiC studuerunt.Eventus ostendunt aluminium et ferrum efficacissima esse additamenta ad promovendum SiC caldarium impressum inlinentem.FFlange studuit effectum addere variam quantitatem Al2O3 in proprietatibus calidi pressi SiC.Existimatur densificatio caldorum pressi SiC se habet ad mechanismum dissolutionis et praecipitationis.Sed processus torcular sintering calidum non potest producere nisi partes SiC cum figura simplici.Quantitas productorum ab uno tempore processu torculari calidae sintering valde parva est, quae ad productionem industrialem non conducit.
Calidum isostatic urgeat sintering
Ut vitia processus sintering traditionalis superaret, B-type et C-type adhibita sunt ut additamenta et technologiae technologiae isostaticae urgentis sinteringae calidae adhibitae sunt.Ad 1900 ° C, ceramicae crystallinae cum densitate majore quam 98 impetrata sunt, et inclinatio roboris in cella temperie 600 MPa pervenire potuit.Licet impressio isostatica calida siteratio densos fructus cum complexis figuris et bonis mechanicis proprietatibus producere possit, illins signari debet, quod difficile est ad productionem industrialem consequendam.
Reactionem syntering
Reactio carbide siliconis siliceae, quae carbide siliconis sui coniungitur etiam nota est, ad processum refertur in quo contortio perforata cum gas vel liquida periodo ad meliorem condolem qualitatem redigendum, porositatem minuendam, et sinter confectos cum certa vi ac accuratione dimensiva.accipe ab pulveris SiC et graphite in certa proportione mixta et calefacta ad annum circiter 1650 , ut quadratum conchylium formaret.Eodem tempore penetrat vel penetrat in thalamum per gaseosum Si et cum graphite reagit ad formandum aba SiC, compositum cum particulis α- SiC existentibus.Cum Si totaliter inficiatur, reactionem corpus sinteratum cum densitate plena et magnitudine non DECREMENTUM obtineri potest.Comparata cum aliis processibus sintering, magnitudo mutationis reactionis sintering in processu densificationis est parva, et fructus cum magnitudine accurate praeparari possunt.Sed exsistentia magnae quantitatis SiC in corpore sinterato facit summus temperaturae proprietates reactionis ceramicae sinteratae SiC deteriores.
Post tempus: Iun-08-2022